Arduinoベースのトランジスタテスターです。トランジスターの極性判定、HFE測定やLCRの計測なども出来るキットですが、簡易な目的ならば、それなりに使えると考えられる人も多そうなので電子工作をされる方が持っていそうな測定器と比較することにしました。
測定に供したものは、以下の通りです。
緑LED
1/6W 680kΩ
FET 2SK1250
セラミックコンデンサ 0.1uF(100nF)
フィルムコンデンサ 0.22uF (220nF)
NPNトランジスタ S9014
比較したのは、里にもある秋月で取り扱いの英国PEAKS社の4機種です。
比較目的は、あくまでも、このテスターキットの確認ですが、必ずしもPeaks社の商品と同じ使い方が出来るわけではありません。
LCR40 表示パラメータ及び範囲 ・Ｌ 自己インダクタンス、直流抵抗、テスト周波数、１μＨ～１０Ｈ ・Ｃ 静電容量、テスト周波数、０．４ｐＦ～１０、０００μＦ ・Ｒ 抵抗、１Ω～２ＭΩ ・テスト周波数 ＤＣ、１ｋＨｚ、１５ｋＨｚ、２００ｋＨｚから自動設定
ESR70 ESR及び静電容量メータ コンデンサのESR (等価直列抵抗)を測定すると、コンデンサの状態がよくわかります。 Atlas ESRは回路内で使用できるので、コンデンサを取り外す手間が省けます。 回路から外してコンデンサをテストしても、静電容量が表示されます。 ＥＳＲ測定範囲：０～４０Ω 静電容量測定範囲：１μＦ～２２，０００μＦ ＥＳＲ ０．０１Ωの最小分解能 業界標準１００ｋＨｚで解析極性なし、任意の方向で接続
DCA55 半導体アナライザ バイポーラトランジスタ、ＭＯＳＦＥＴ、サイリスタ、トライアック、ダイオード、ＬＥＤ、その他など、 さまざまなタイプのコンポーネントを分析できるインテリジェントコンポーネントアナライザです。 コンポーネントタイプ、ピンアウト、測定可能パラメータ(ゲイン、ゲートしきい値電圧、電圧降下など)の情報を確認できます。 コモンアノード、コモンカソード、直列及び逆並列タイプなど、ダイオードネットワークの確認 トランジスタのダイオード保護又はレジスタシャントなど、特殊コンポーネント機能の識別 ２又は３端子の二色タイプなど、各種ＬＥＤタイプの識別コンポーネントを自動識別 自動ピン配列識別 トランジスタゲインの測定：２～６５０００ ＭＯＳＦＥＴゲートしきい値の測定 トランジスタ、ダイオード、ＬＥＤの半導体電圧降下の測定 自動及び手動電源オフ
DCA75 多機能・高性能 半導体アナライザ ＜フルオート自動判別・カーブトレーサ機能搭載＞ ・さまざまな半導体を自動識別（２ピン、３ピンのデバイス） ・測定対象に合わせて各種電気的特性を測定・表示 ・測定プローブの接続は自由 ⇒自動判別後にプローブ色と対象端子の対応を表示 ★測定結果は電子部品記号（アイコン）とともに分かりやすく表示されます。 ◆トランジスタ（バイポーラ／ＭＯＳＦＥＴ／接合型ＦＥＴ／ＩＧＢＴ） ◆ダイオード、ツェナーダイオード、ＬＥＤ、２色ＬＥＤ ◆三端子レギュレータＩＣ ◆トライアック、サイリスタ等 ★ＵＳＢケーブル（付属）でＰＣと接続することにより、 電気的特性曲線をオートトレースすることができます(カーブトレーサ機能)。 ・バイポーラトランジスタ：Ｐ－Ｎ接合、Ｉｃ／Ｖｃｅ 各特性カーブ ・ＭＯＳＦＥＴ／ＪＦＥＴ／ＩＧＢＴ：Ｉｄ／Ｖｄｓ、Ｉｄ／Ｖｇｓ 各特性カーブ ・三端子レギュレタＩＣ：Ｖｏｕｔ／Ｖｉｎ特性カーブ
| トランジスターテスターの評価テスト | 2016/1/7 | 組み込みの里 | 木更津高専の協力 | |||
| 供試サンプル | LCR40 | ESR70 | DCA55 | DCA75 | M328 | ZM2372 (Accuracy 0.08%) |
| 33uF無極性コンデンサ | 34.63uF | 33.78uF ESR=0.25Ω |
– | – | 34.75uF ESR=0.21Ω |
31.861uF (1kHZ) |
| 224フィルムコンデンサ | 221.9nF | 測定範囲外 | – | – | 219.5nF ESR=0.23Ω |
222.39nF (1kHz) |
| 104積層セラミックコンデンサ | 91.74nF | 測定範囲外 | – | – | 94.57nF ESR=3.1Ω |
95.3nF (1kHz) |
| 1/6w 680kΩ | 694.6kΩ | – | – | – | 687.6kΩ | 677.6kΩ |
| 緑LED | – | – | LED or Diode Vf=1.97V |
LED Vf=1.977V |
Diode Vf=1.99V C=12pF |
– |
| S9014 | – | – | NPN Silion Tr Hfe=322 Vbe=0.78V |
NPN BJT Hfe=326 VBE=0.778V |
BJT-NPN B=434 Vf=0.714V |
– |
| 2SK1250 | – | – | = | Nch Enhancemebnt mode MOSFET Vgs=3.339V Vgs=2.512v(off) gm=32.9mA/V |
N-E-MOS Vt=3.4V |
– |
